Oblea solar monocristalina tipo P de 156 mm

El flujo de producción de obleas monocristalinas consta de procedimientos de corte, limpieza y clasificación. Actualmente, más del 80% de la capacidad mundial de producción de cristal Cz-Si para PV se dedica al tipo p.
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Detalles

Monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


El flujo de producción de obleas monocristalinas consiste en procedimientos de corte, limpieza y clasificación.e.


1 Propiedades materiales

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Método de crecimiento

CZ


Cristalinidad

Monocristalino

Técnicas de grabado preferencialesASTM F47-88

Tipo de conductividad

Tipo P

Napson EC-80TPN

P/N

Dopante

Boro, Galio

-

Concentración de oxígeno [Oi]

9E+17 a / cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Concentración de carbono [Cs]

5E+16 a / cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Densidad del pozo de grabado (densidad de dislocación)

500 cm-3

Técnicas de grabado preferencialesASTM F47-88

Orientación superficial

GG lt; 100> ± 3 °

Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987)

Orientación de lados pseudocuadrados

GG lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 °

Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987)

2 Propiedades electricas

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Resistividad

1-3 Ωcm (después del recocido)

Sistema de inspección de obleas

MCLT (portador minoritario de por vida)

20 μs

Sinton QSSPC

3 Geometría

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Geometría

Pseudo cuadrado


Forma del borde biselado

Redondo


Tamaño de la oblea

(Longitud lateral * longitud lateral * diámetro

M0: 156 * 156 * ϕ210 milímetro

M1: 156,75 * 156,75 * ϕ205 mm

M2: 156,75 * 156,75 * ϕ210 mm

Sistema de inspección de obleas

Ángulo entre lados adyacentes

90±3°

Sistema de inspección de obleas



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