Oblea solar monocristalina tipo P de 161,7 mm

Método de crecimiento

CZ

Cristalinidad

Monocristalino

Técnicas de grabado preferenciales（ASTM F47-88）

Tipo de conductividad

Tipo P

Napson EC-80TPN

P/N

Dopante

Boro, Galio

-

Concentración de oxígeno [Oi]

≦8E+17 a / cm³

FTIR (ASTM F121-83)

Concentración de carbono [Cs]

≦5E+16 a / cm³

FTIR (ASTM F123-91)

Densidad del pozo de grabado (densidad de dislocación)

≦500 cm^-3

Técnicas de grabado preferenciales（ASTM F47-88）

Orientación superficial

GG lt; 100> ± 3 °

Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987)

Orientación de lados pseudocuadrados

GG lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 °

Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987)

Resistividad

0,5-1,5 Ωcm

Sistema de inspección de obleas

MCLT (portador minoritario de por vida)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(con nivel de inyección: 1E15 cm^-3)

Geometría

Cuasi plaza

Longitud del lado de la oblea

161,7 ± 0,25 milímetro

sistema de inspección de obleas

Diámetro de la oblea

φ221 ± 0,25 mm

sistema de inspección de obleas

Ángulo entre lados adyacentes

90° ± 0.2°

sistema de inspección de obleas

Grosor

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

TTV (variación de espesor total)

≤27 µm

sistema de inspección de obleas

Método de corte

DW

--

Calidad de la superficie

como cortado y limpiado, sin contaminación visible (aceite o grasa, huellas dactilares, manchas de jabón, manchas de lechada, manchas de epoxi / pegamento no están permitidas)

sistema de inspección de obleas

Marcas de sierra / pasos

≤ 15µm

sistema de inspección de obleas

Arco

≤ 40 µm

sistema de inspección de obleas

Deformación

≤ 40 µm

sistema de inspección de obleas

Chip

profundidad ≤0,3 mm y longitud ≤ 0,5 mm Max 2 / pcs; sin V-chip

Sistema de inspección de ojos desnudos o obleas

Micro grietas / agujeros

No permitido

sistema de inspección de obleas