Oblea solar monocristalina tipo N de 156 mm

El hecho de que las tecnologías de células que presentan las mayores eficiencias en la producción industrial se basen en obleas de Cz-Si de tipo n es una demostración sorprendente de por qué las obleas de tipo n son el material más adecuado para las células solares de alta eficiencia. Entrando más en detalles, existen algunas razones físicas para la superioridad del tipo n frente al tipo p.
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Detalles

CZ silicon crystal growth


Monocrystalline wafer 1


El hecho de que las tecnologías de células que ofrecen las mayores eficiencias en la producción industrial se basen en la oblea Cz-Si tipo N es una demostración sorprendente de por qué las obleas tipo n son el material más adecuado para las células solares de alta eficiencia. Entrando más en detalles, existen algunas razones físicas para la superioridad del tipo N frente al tipo P, las más importantes son:

  • debido a la ausencia de boro, no se produce degradación inducida por la luz (LID) en las obleas de Si tipo p, debido a los complejos de boro-oxígeno

  • Dado que el tipo N Si es menos sensible a las impurezas metálicas prominentes, en general las longitudes de difusión del portador minoritario en el Cz-Si tipo n son significativamente más altas en comparación con el Cz-Si tipo p

  • El Si de tipo N es menos propenso a degradarse durante los procesos de alta temperatura, como la difusión B.

1 Propiedades materiales

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Método de crecimiento

CZ


Cristalinidad

Monocristalino

Técnicas de grabado preferencialesASTM F47-88

Tipo de conductividad

Tipo N

Napson EC-80TPN

Dopante

Fósforo

-

Concentración de oxígeno [Oi]

8E+17 a / cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Concentración de carbono [Cs]

5E+16 a / cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Densidad del pozo de grabado (densidad de dislocación)

500 cm-3

Técnicas de grabado preferencialesASTM F47-88

Orientación superficial

GG lt; 100> ± 3 °

Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987)

Orientación de lados pseudocuadrados

GG lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 °

Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987)

2 Propiedades electricas

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Resistividad

0,2-2,0 Ω.cm

0,5-3,5 Ω.cm

1.0-7.0 Ω.cm

1,5-12 Ω.cm

Otra resistividad

Sistema de inspección de obleas

MCLT (portador minoritario de por vida)

1000 μs (resistividad> 1Ωcm)
500 μs (resistividad<>Ωcm)

Sinton transitorio

3 Geometría

Propiedad

Especificación

Método de inspección

Geometría

Pseudo cuadrado


Forma del borde biselado

Redondo


Tamaño de la oblea

(Longitud lateral * longitud lateral * diámetro

M0: 156*156*ϕ210 mm

M1: 156.75*156.75* ϕ205 mm

M2: 156.75*156.75* ϕ210 mm

Sistema de inspección de obleas

Ángulo entre lados adyacentes

90±3°

Sistema de inspección de obleas


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